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NTMFS4833NS
TYPICAL CHARACTERISTIC CURVES
6000
5000
4000
C iss
12
10
8
V DS
Q T
V GS
20
15
3000
2000
C oss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
f = 1 MHz
6
4
Q GS
Q GD
10
5
1000
0
0
C rss
5
10
15
20
25
30
2
0
0
10
20
30
40
50
60
I D = 30 A
T J = 25 ° C
70 80
0
90
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
100
V GS = 11.5 V
V DD = 15 V
I D = 15 A
t d(off)
t f
t r
30
25
20
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
t d(on)
15
10
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
1000
100
10
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1 m s
10 m s
1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
100 m s
1 ms
10 ms
dc
0.01
0.01
PACKAGE LIMIT
0.1 1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
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